所謂外延芯片，簡(jiǎn)單的說(shuō)就是將外延氣體通入密閉的反應(yīng)容器，在一定的溫度制度，壓力制度等條件下，外延氣體發(fā)生反應(yīng)，生成的產(chǎn)物沉積在襯底上，就成為外延片了。氮化鎵是半導(dǎo)體，具有電子和電子空穴（PN結(jié)兩側(cè)有p區(qū)和n區(qū)，p即positive;n即negative）,通電時(shí)就會(huì)產(chǎn)生電子空穴復(fù)合，然后已光的形式將復(fù)合后剩余的能量都釋放出來(lái)，當(dāng)然不僅僅是氮化鎵能做外延片，砷化鎵也可以，另外還有些三元、四元系統(tǒng)的（主要是第三主族和第五主族的元素），還有氮化鎵技術(shù)比較成熟。